科技日報北京12月23日電 （實習記者張佳欣）鍺的特殊性質和專用編程柵電極的使用，使人們有可能為一種開創芯片技術新紀元的新元件製造出原型。據近日發表在美國化學學會《納米雜誌》上shang的de研yan究jiu
，奧ao地di利li維wei也ye納na工gong業ye大da學xue沒mei有you依yi靠kao矽gui基ji晶jing體ti管guan技ji術shu
，而er是shi利li用yong鍺zhe生sheng產chan出chu世shi界jie上shang最zui靈ling活huo的de晶jing體ti管guan。這zhe種zhong新xin型xing自zi適shi應ying晶jing體ti管guan可ke以yi在zai運yun行xing時shi動dong態tai切qie換huan，能neng執zhi行xing不bu同tong的de邏luo輯ji任ren務wu。這zhe從cong根gen本ben上shang改gai變bian了le芯xin片pian設she計ji的de可ke能neng性xing，並bing在zai人ren工gong智zhi能neng、神經網絡甚至邏輯領域開辟了全新機會。

電荷在晶體管中的傳輸方式取決於使用的材料：要麼是帶有負電荷的自由移動電子，要麼是單個原子中可能缺少電子
，所以該點是帶正電荷的。這就是所謂的“空穴”。

在新型晶體管中，電子和空穴以一種非常特殊的方式同時操作。維也納工業大學固態電子研究所博士後研究員馬西亞爾·西斯塔尼解釋道：“tongguojiqiganjingdegaozhiliangjiekou
，womenyongyigenyouzhezhichengdejixidedaoxianlianjielianggedianji。zaizhedeshangfang，womenfangzhileyigezhadianji。juyoujuedingxingdeyibushi，womendejingtiguanjuyoulingyigekongzhidianji
，gaidianjifangzhizaizhehejinshuzhijiandejiemianshang。takeyiduijingtiguandegongnengjinxingdongtaibiancheng。”

這種器件結構使得分別控製電子和空穴成為可能。西斯塔尼補充道，“使用鍺是因為鍺有一種非常特殊的電子結構：當(dang)施(shi)加(jia)電(dian)壓(ya)時(shi)，電(dian)流(liu)剛(gang)開(kai)始(shi)會(hui)增(zeng)加(jia)

，然(ran)而(er)，在(zai)某(mou)一(yi)閾(yu)值(zhi)之(zhi)後(hou)，電(dian)流(liu)再(zai)次(ci)下(xia)降(jiang)，這(zhe)被(bei)稱(cheng)為(wei)負(fu)差(cha)分(fen)電(dian)阻(zu)。在(zai)控(kong)製(zhi)電(dian)極(ji)的(de)幫(bang)助(zhu)下(xia)

，我(wo)們(men)可(ke)以(yi)調(tiao)節(jie)這(zhe)個(ge)閾(yu)值(zhi)所(suo)在(zai)的(de)電(dian)壓(ya)。這(zhe)提(ti)供(gong)了(le)新(xin)的(de)自(zi)由(you)度(du)，我(wo)們(men)可(ke)以(yi)利(li)用(yong)這(zhe)一(yi)自(zi)由(you)度(du)讓(rang)晶(jing)體(ti)管(guan)實(shi)現(xian)所(suo)需(xu)特(te)性(xing)。例(li)如(ru)，可(ke)以(yi)將(jiang)邏(luo)輯(ji)電(dian)路(lu)中(zhong)的(de)與(yu)非(fei)門(men)切(qie)換(huan)到(dao)或(huo)非(fei)門(men)。”

daomuqianweizhi
，dianzishebeidezhinengzhishiyoujigejingtiguandehulianshixian，ermeigejingtiguandouzhiyouxiangdangyuanshidegongneng。zaiweilai，zhezhongzhinengkeyirangxinjingtiguanbenshendeshiyingxinglaishixian。youyushiyingxingdetigao，yiqianxuyao160個晶體管的算術運算現在可以用24個晶體管完成。這樣一來

，電路的速度和能效也可以顯著提高。