科技日報北京5月3日電 （記者張佳欣）美國麻省理工學院一個跨學科團隊開發出一種低溫生長工藝，可直接在矽芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMD）材料層
，以實現更密集的集成。這項技術可能會讓芯片密度更高
、功能更強大。相關論文發表在最新一期《自然·納米技術》雜誌上。

這項技術繞過了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關的問題，縮短了生長時間，並允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層，這使其成為商業應用的理想選擇。

新興的人工智能應用，如產生人類語言的聊天機器人，需要更密集、更強大的計算機芯片。但半導體芯片傳統上是用塊狀材料製造的，這種材料是方形的三維（3D）結構，因此堆疊多層晶體管以實現更密集的集成非常困難。然而，由超薄2D材料製成的晶體管
，每個隻有大約三個原子的厚度，堆疊起來可製造更強大的芯片。

讓2D材料直接在矽片上生長是一個重大挑戰，因為這一過程通常需要大約600℃的高溫，而矽晶體管和電路在加熱到400℃以上時可能會損壞。新開發的低溫生長過程則不會損壞芯片。

過去，研究人員在其他地方培育2Dcailiaohou
，zaijiangtamenzhuanyidaoxinpianhuojingpianshang。zhewangwanghuidaozhiquexian


，yingxiangzuizhongqijianhedianludexingneng。ciwai
，zaijingpianguimoshangshunlizhuanyicailiaoyejiqikunnan。xiangbizhixia，zhezhongxingongyikezai8英寸晶片上生長出一層光滑、高度均勻的層。

這項新技術還能顯著減少“種植”這些材料所需的時間。以前的方法需要一天多的時間才能生長出一層2D材料
，而新方法可在不到一小時內在8英寸晶片上生長出均勻的TMD材料層。

研yan究jiu人ren員yuan表biao示shi
，他ta們men所suo做zuo的de就jiu像xiang建jian造zao一yi座zuo多duo層ceng建jian築zhu。傳chuan統tong情qing況kuang下xia，隻zhi有you一yi層ceng樓lou無wu法fa容rong納na很hen多duo人ren。但dan有you了le更geng多duo樓lou層ceng，這zhe座zuo建jian築zhu將jiang容rong納na更geng多duo的de人ren。得de益yi於yu他ta們men正zheng在zai研yan究jiu的de異yi質zhi集ji成cheng
，有you了le矽gui作zuo為wei第di一yi層ceng，他ta們men就jiu可ke在zai頂ding部bu直zhi接jie集ji成cheng許xu多duo層ceng的de2D材料。